Дайджест новостей российской микроэлектроники

Объявлены имена лауреатов Международной премии в области фундаментальных наук
ЮНЕСКО утвердило выбор международного жюри о присуждении третьей Международной премии ЮНЕСКО-России им. Д. И. Менделеева за достижения в области фундаментальных наук. 
Глава РАН академик Геннадий Красников отметил важность научных достижений лауреатов
Подробнее

НИИЭТ выводит на рынок две модели GaN транзисторов
Воронежский Научно-исследовательский институт электронной техники (НИИЭТ, входит в Группу компаний «Элемент», MOEX: ELMT) анонсировал выпуск новых мощных СВЧ транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры. Разработка ориентирована на работу в условиях жёстких температурных и эксплуатационных режимов.  
Подробнее

В России создали автоматическую установку для производства микроэлектроники
Специалисты МГТУ «СТАНКИН» совместно с индустриальным партнером «Совтест АТЕ» разработали автоматическую установку для монтажа полупроводниковых кристаллов, которая уже вышла на этап промышленного производства.   
Подробнее

В Сириусе научили роботов-манипуляторов обрабатывать сложные детали быстро и без риска поломки 
Исследователи Научно-технологического университета «Сириус» создали и запатентовали систему, которая позволяет промышленному роботу адаптировать скорость фрезерования в реальном времени, в зависимости от того, с каким сопротивлением инструмент сталкивается при обработке материала. Разработка автоматизирует построение траекторий и снижает риск поломки оборудования. 
➡️ Подробнее

Квантовый прорыв: российские учёные создали материал с рекордной памятью для процессоров будущего
Учёные из ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН, Института физики твёрдого тела РАН и Киотского университета синтезировали серию координационных соединений, которые могут стать основой для процессоров квантовых компьютеров. Работа поддержана грантом Российского научного фонда.
Подробнее

Мы в MAX

#ФорумМикроэлектроника
#Новости