🥳 Вливания в микроэлектронику продолжаются

Возрадуемся, товарищи: хорошие новости. Минпром выделил почти 2 млрд на замену американских, французских и голландских установок эпитаксии — процесса выращивания слоев кремния и арсенида галлия.

🇷🇺1,5 млрд пойдет на разработку установки молекулярно-лучевой эпитаксии для получения гетероструктур на основе соединений индия, алюминия, галлия и арсенида с групповой загрузкой пластин 76–100 мм.

🇷🇺Еще 463,7 млн руб. - на создание установки для выращивания слоев кремний-германия на кремниевых пластинах диаметром 200 мм методом газофазной эпитаксии.

Работы, дай Бог, завершат к 2029-2039 гг.